Em 2005 a HP construiu um componente electrónico que na verdade um memristor, o quarto componente electrónico básico, teorizado pelo cientista Leon Chua, em 1971, ou seja, este quarto componente electrónico fundamental, ao lado do resistor, do capacitor e do indutor, teria propriedades que não poderiam ser duplicadas por nenhuma combinação desses 3 outros componentes, propriedade essa mais conhecida como "memresistência", que na prática significa memória resistente, isto é, que não perde os dados quando a energia é desligada.
Os memristores são nanofios com 50 nanômetros de largura, o que compreende cerca de 150 átomos. Os nanofios são formados por duas camadas de dióxido de titânio conectados a condutores. Quando uma corrente eléctrica é aplicada a um deles, a resistência dos outros se altera. É esta alteração que pode ser registrada como um bit, a unidade básica de informação.
Os cientistas da HP chamavam a este componente de crossbar latch (clica AQUI para veres a sua descrição completa). Inclusive, a HP deu um outro passo importante na sua pesquisa em 2007, uma descoberta que avança 3 gerações na construção de chips, nomeadamente a utilização transístores do mesmo tamanho daqueles que equipam os chips actuais, mas com circuitos até 8 vezes mais densos, que consomem menos energia do que os microprocessadores actuais para um mesmo cálculo computacional (clica AQUI para veres a descoberta que avança 3 gerações na construção de chips).
Agora, os cientistas conseguiram desenvolver um modelo matemático que comprova que o seu protótipo em nanoescala é na verdade o memristor teorizado por Leon Chua. Eles descreveram matematicamente os princípios físicos do novo componente e construíram protótipos que, segundo eles, demonstram todas as características operacionais necessárias para provar que o memristor é real.
A memresistência enquanto fenómeno isolado já foi observada em diversas experiências nos últimos 50 anos, mas a prova definitiva da sua existência - a explicação teórica seguida da demonstração prática - não tinha sido encontrada porque, segundo os pesquisadores, a memresistência é mais fácil de ser detectada em componentes construídos à nanoescala.
O elemento-chave para a memresistência é que os átomos do componente precisam mudar de posição quando a tensão eléctrica é aplicada, e isso acontece muito mais facilmente em nanoescala.
Se os memresistores construídos pela HP puderem ser fabricados numa escala industrial, mantendo todas as características observadas nos protótipos de laboratório, poderá estar aberto o caminho para o desenvolvimento de computadores que não perdem dados quando desligados da corrente electríca, solução esta mais eficiente do que as oferecidas pelas actuais memórias magnéticas.
A tecnologia em evolução. Esperemos para ver.
A memresistência enquanto fenómeno isolado já foi observada em diversas experiências nos últimos 50 anos, mas a prova definitiva da sua existência - a explicação teórica seguida da demonstração prática - não tinha sido encontrada porque, segundo os pesquisadores, a memresistência é mais fácil de ser detectada em componentes construídos à nanoescala.
O elemento-chave para a memresistência é que os átomos do componente precisam mudar de posição quando a tensão eléctrica é aplicada, e isso acontece muito mais facilmente em nanoescala.
Se os memresistores construídos pela HP puderem ser fabricados numa escala industrial, mantendo todas as características observadas nos protótipos de laboratório, poderá estar aberto o caminho para o desenvolvimento de computadores que não perdem dados quando desligados da corrente electríca, solução esta mais eficiente do que as oferecidas pelas actuais memórias magnéticas.
A tecnologia em evolução. Esperemos para ver.
fonte: Inovação Tecnológica
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